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蔬菜泡沫箱的离子束表面沉积工艺简介

点击次数:   更新时间:15/01/21 15:17:01     来源:www.eikenblok.com关闭分    享:
  采用铜离子束辅助增强沉积技术,可在蔬菜泡沫箱表面沉积一层导电薄膜,以保持产品原有的物理性能,并达到抗静电的要求,那么这就是产品的离子束表面沉积工艺,下面将详细的介绍。
  该工艺采用铜离子束辅助沉积装置,离子束能量为20keV,溅射参数为Ar+/2keV/150mA,沉积时间为1-1.5h。
  普通蔬菜泡沫箱的体积电阻率为1014-1015cm,不能达到抗静电的要求,而经铜子束辅助增强沉积后,其体积电阻率降低到104-105Ω.cm。这是由于在绝缘性好的蔬菜泡沫箱表面沉积有一层薄的导电金属膜,从而产生导电通道。而蔬菜泡沫箱的表面存在孔隙,导电金属薄膜不能完全联通,虽然还不能形成导体,但已经大大改善了蔬菜泡沫箱的抗静电性能。
  上述研究表明,采用铜离子束辅助增强沉积技术对蔬菜泡沫箱进行表面改性,可以使产品的体积电阻率明显下降,达到抗静电性能的要求,而蔬菜泡沫箱的拉伸性能、压缩应力-应变性能、压缩永久变形等力学性能没有明显改变。

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